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IXTK200N10L2
IXTX200N10L2
200
180
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
120
160
25oC
140
120
100
T J = 125oC
100
80
125oC
80
60
25oC
- 40oC
60
40
40
20
20
0
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
320
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
V DS = 50V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
280
240
200
160
120
14
12
10
8
6
I D = 100A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
100 200 300 400 500 600 700
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
800
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
0.200
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
ggg
f = 1 MHz
0.100
10,000
Ciss
1,000
100
Coss
Crss
0.010
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
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